Triyoso, D. H.: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (105)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

Product Inventory Predictions at Small Medium Enterprise Using Market Basket Analysis Approach-Neural Networks

Mansur, Agus, Kuncoro, Triyoso

Журнал:

Procedia Economics and Finance

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 562 KB

english, 2012

2

[IEEE 2014 IEEE Symposium on VLSI Technology - Honolulu, HI, USA (2014.6.9-2014.6.12)] 2014 Symposium on VLSI Technology (VLSI-Technology): Digest of Technical Papers - Advanced RMG module to improve AC/DC performance for 14nm FinFETs and beyond

Togo, M., Joshi, M., Meer, H. V., Liu, Y., Yong, C., Liu, B., He, X., Wu, X., Mun, S. Y., Zhang, X., Konduparthi, D., Lian, J., Bohra, G., Tong, W. H., Xiao, C. Y., Triyoso, D., Banghart, E., Pandey,

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 554 KB

english, 2014

3

Impact of Zr addition on properties of atomic layer deposited HfO[sub 2]

Triyoso, D. H., Hegde, R. I., Schaeffer, J. K., Roan, D., Tobin, P. J., Samavedam, S. B., White, B. E., Gregory, R., Wang, X.-D.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 582 KB

english, 2006

4

Development of spectral hazard maps for a proposed revision of the Indonesian Seismic Building Code

Irsyam, Masyhur, Asrurifak, M., Hendriyawan,, Budiono, Bambang, Triyoso, Wahyu, Firmanti, Anita

Журнал:

Geomechanics and Geoengineering

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 7.82 MB

english, 2010

5

THE SUMATRAN FAULT ZONE — FROM SOURCE TO HAZARD

NATAWIDJAJA, DANNY HILMAN, TRIYOSO, WAHYU

Журнал:

Journal of Earthquake and Tsunami

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.55 MB

english, 2007

6

(Invited) Factors Impacting Threshold Voltage in Advanced CMOS Integration: Gate Last (FINFET) vs. Gate First (FDSOI)

Triyoso, D., Carter, R., Kluth, J., Luning, S., Child, A., Wahl, J., Mulfinger, B., Punchihewa, K., Kumar, A., Kang, L., Sporer, R., Chen, X., Straub, S., Bohra, G., Patil, S., Zhang, X., Chen, A., To

Журнал:

ECS Transactions

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 384 KB

english, 2015

7

[IEEE 2019 Device Research Conference (DRC) - Ann Arbor, MI, USA (2019.6.23-2019.6.26)] 2019 Device Research Conference (DRC) - High Performance and Yield for Super Steep Retrograde Wells (SSRW) by Well Implant / Si-based Epitaxy on Advanced Technology FinFETs

Rana, U., Brunco, D. P., Raman, S., Triyoso, D.H., Stoker, M.W., Johnson, J. B., Pantisano, L., Seo, K. D., Zhao, M., Reznicek, A., Krishnan, R., Moser, B., Freeman, J., Jang, L., Kaganer, E.

Рік:

2019

Файл:

PDF, 470 KB

2019

8

Impact of titanium addition on film characteristics of HfO[sub 2] gate dielectrics deposited by atomic layer deposition

Triyoso, D. H., Hegde, R. I., Zollner, S., Ramon, M. E., Kalpat, S., Gregory, R., Wang, X.-D., Jiang, J., Raymond, M., Rai, R., Werho, D., Roan, D., White, B. E., Tobin, P. J.

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 785 KB

english, 2005

9

Conduction band-edge States associated with the removal of d-state degeneracies by the Jahn-Teller effect

G. Lucovsky, C. Fulton, Y. Zhang, Y. Zou, J. Luning, L. Edge, J. Whitten, R. Nemanich, H. Ade, D. Schlom, V. Afanase'v, A. Stesmans, S. Zollner, D. Triyoso, B. Rogers

Журнал:

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 730 KB

english, 2005

10

[IEEE 2012 International Semiconductor Conference Dresden-Grenoble (ISCDG) - formerly known as the Semiconductor Conference Dresden (SCD) - Grenoble, France (2012.09.24-2012.09.26)] 2012 International Semiconductor Conference Dresden-Grenoble (ISCDG) - Impact of process parameters of TiN cap formation on threshold voltage and gate leakage in HKMG last integration

Erben, E., Hempel, K., Triyoso, D. H., Zhang, H., Metzger, J., Binder, R., Prindle, C., Carter, R., Wei, A.

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.34 MB

english, 2012

11

Characteristics of atomic-layer-deposited thin Hf[sub x]Zr[sub 1−x]O[sub 2] gate dielectrics

Triyoso, D. H., Hegde, R. I., Schaeffer, J. K., Gregory, R., Wang, X.-D., Canonico, M., Roan, D., Hebert, E. A., Kim, K., Jiang, J., Rai, R., Kaushik, V., Samavedam, S. B., Rochat, N.

Журнал:

Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.37 MB

english, 2007

12

[IEEE 2004 International Conference on Integrated Circuit Design and Technology - Austin, TX, USA (17-20 May 2004)] 2004 International Conference on Integrated Circuit Design and Technology (IEEE Cat. No.04EX866) - Threshold voltage instability and plasma induced damage of polySi/HfO/sub 2/ devices - positive impact of deuterium incorporation

Tseng, H.-H., Ramon, M.E., Hebert, L., Tobin, P.J., Triyoso, D., Kalpat, S., Grant, J.M., Jiang, Z.X., Gilmer, D.C., Menke, D., Taylor, W.J., Adetutu, O., White, B.E.

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 279 KB

english, 2004

13

Compatibility of polycrystalline silicon gate deposition with HfO[sub 2] and Al[sub 2]O[sub 3]/HfO[sub 2] gate dielectrics

Gilmer, D. C., Hegde, R., Cotton, R., Garcia, R., Dhandapani, V., Triyoso, D., Roan, D., Franke, A., Rai, R., Prabhu, L., Hobbs, C., Grant, J. M., La, L., Samavedam, S., Taylor, B., Tseng, H., Tobin,

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 448 KB

english, 2002

14

Hafnium zirconate gate dielectric for advanced gate stack applications

Hegde, R. I., Triyoso, D. H., Samavedam, S. B., White, B. E.

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.10 MB

english, 2007

15

[Japan Soc. Applied Phys 2003 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers - Kyoto, Japan (10-12 June 2003)] 2003 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.03CH37407) - Fermi level pinning at the polySi/metal oxide interface

Hobbs, C., Fonseca, L., Dhandapani, V., Samavedam, S., Taylor, B., Grant, J., Dip, L., Triyoso, D., Hegde, R., Gilmer, D., Garcia, R., Roan, D., Lovejoy, L., Rai, R., Hebert, L., Tseng, H., White, B.,

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 219 KB

english, 2003

16

[IEEE 2004 International Conference on Integrated Circuit Design and Technology - Austin, TX, USA (17-20 May 2004)] 2004 International Conference on Integrated Circuit Design and Technology (IEEE Cat. No.04EX866) - Integration challenges of new materials and device architectures for IC applications

Bich-Yen Nguyen,, Thean, A., White, T., Vandooren, A., Sadaka, M., Mathew, L., Barr, A., Thomas, S., Zalava, M., Da Zhang,, Eades, D., Zhong-Hai Shi,, Schaeffer, J., Triyoso, D., Samavedam, S., Var

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 577 KB

english, 2004

17

[IEEE 2016 IEEE Symposium on VLSI Technology - Honolulu, HI, USA (2016.6.14-2016.6.16)] 2016 IEEE Symposium on VLSI Technology - Novel N/PFET Vt control by TiN plasma nitridation for aggressive gate scaling

Togo, M., Tong, W. H., Zhang, X., Triyoso, D. H., Lian, J., Randriamihja, Y. Mamy, Uppal, S., Dag, S., Silva, E. C., Kota, M., Shimizu, T., Patil, S., Eller, M., Samavedam, S.

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.01 MB

english, 2016

18

[IEEE 2016 International Conference on IC Design and Technology (ICICDT) - Ho Chi Minh, Vietnam (2016.6.27-2016.6.29)] 2016 International Conference on IC Design and Technology (ICICDT) - Extending HKMG scaling on CMOS with FDSOI: Advantages and integration challenges

Triyoso, D.H., Carter, R., Kluth, J., Hempel, K., Gribelyuk, M., Kang, L., Kumar, A., Mulfinger, B., Javorka, P., Punchihewa, K., Child, A., McArdle, T., Holt, J., Straub, S., Sporer, R., Chen, P.

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.29 MB

english, 2016

19

Hypocenter Relocation of Earthquake Swarm in West Halmahera, North Molucca Region, Indonesia by using Double-Difference Method and 3D Seismic Velocity Structure

Dian Nugraha, Andri, Ash Shiddiqi, Hasbi, Widiyantoro, Sri, Puspito, Nanang T, Triyoso, Wahyu, Wiyono, Samsul, Daryono,, Wandono,, Rosalia, Shindy

Журнал:

IOP Conference Series Earth and Environmental Science

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 777 KB

english, 2017

20

Preliminary Result of Hypocenter Relocation Using Double Difference Method along Sumatran Fault, Indonesia

Surya Putra, Ade, Dian Nugraha, Andri, Puspito, Nanang T, Triyoso, Wahyu

Журнал:

IOP Conference Series: Earth and Environmental Science

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.80 MB

english, 2019

21

Development of the 2017 national seismic hazard maps of Indonesia

Irsyam, Masyhur, Cummins, Phil R, Asrurifak, M, Faizal, Lutfi, Natawidjaja, Danny Hilman, Widiyantoro, Sri, Meilano, Irwan, Triyoso, Wahyu, Rudiyanto, Ariska, Hidayati, Sri, Ridwan, M, Hanifa, Nuraini

Журнал:

Earthquake Spectra

Рік:

2020

Файл:

PDF, 11.62 MB

2020

22

Characterization of HfO2 dielectric films with low energy SIMS

Z.X. Jiang, K. Kim, J. Lerma, D. Sieloff, H. Tseng, R.I. Hegde, T.Y. Luo, J.Y. Yang, D.H. Triyoso, P.J. Tobin

Журнал:

Applied Surface Science

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 230 KB

english, 2006

23

X-ray metrology for high-k atomic layer deposited HfxZr1−xO2 films

Jesus J. Gallegos III, Dina H. Triyoso, Mark Raymond

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 642 KB

english, 2008

24

Intrinsic band edge traps in nano-crystalline HfO2 gate dielectrics

G. Lucovsky, Y. Zhang, J. Luning, V.V. Afanase’v, A. Stesmans, S. Zollner, D. Triyoso, B.R. Rogers, J.L. Whitten

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 319 KB

english, 2005

25

Application of group electronegativity concepts to the effective work functions of metal gate electrodes on high-κ gate oxides

J.K. Schaeffer, D.C. Gilmer, C. Capasso, S. Kalpat, B. Taylor, M.V. Raymond, D. Triyoso, R. Hegde, S.B. Samavedam, B.E. White Jr

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.47 MB

english, 2007

26

Characteristics of thin lanthanum lutetium oxide high-k dielectrics

Dina H. Triyoso, David C. Gilmer, Jack Jiang, Ravi Droopad

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 671 KB

english, 2008

27

Compatibility of silicon gates with hafnium-based gate dielectrics

D.C. Gilmer, R. Hegde, R. Cotton, J. Smith, L. Dip, R. Garcia, V. Dhandapani, D. Triyoso, D. Roan, A. Franke, R. Rai, L. Prabhu, C. Hobbs, J.M. Grant, L. La, S. Samavedam, B. Taylor, H. Tseng, P. Tobi

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 429 KB

english, 2003

28

Crystallization in hafnia- and zirconia-based systems

S. V. Ushakov, A. Navrotsky, Y. Yang, S. Stemmer, K. Kukli, M. Ritala, M. A. Leskelä, P. Fejes, A. Demkov, C. Wang, B.-Y. Nguyen, D. Triyoso, P. Tobin

Журнал:

physica status solidi (b)

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 899 KB

english, 2004

29

Toward accurate characterization of nitrogen depth profiles in ultrathin oxynitride films

Z. X. Jiang, K. Kim, D. D. Sieloff, T. Y. Luo, A. Varghese, D. H. Triyoso, T. Guenther, B. Robichaud, J. Benavides

Журнал:

Surface and Interface Analysis

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 266 KB

english, 2008

30

Electrical and materials properties of AlN/ HfO2 high-k stack with a metal gate

Kimberly G. Reid, Anthony Dip, Sadao Sasaki, Dina Triyoso, Sri Samavedam, David Gilmer, Carolyn F.H. Gondran

Журнал:

Thin Solid Films

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.66 MB

english, 2009

31

Pulsatile shear stress leads to DNA fragmentation in human SH-SY5Y neuroblastoma cell line

Dina H. Triyoso, Theresa A. Good

Журнал:

The Journal of Physiology

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 401 KB

english, 1999

32

Fermi-level pinning at the polysilicon/metal-oxide interface-Part II

Hobbs, C.C., Fonseca, L.R.C., Knizhnik, A., Dhandapani, V., Samavedam, S.B., Taylor, W.J., Grant, J.M., Dip, L.G., Triyoso, D.H., Hegde, R.I., Gilmer, D.C., Garcia, R., Roan, D., Lovejoy, M.L., Rai, R

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 317 KB

english, 2004

33

Fermi-level pinning at the polysilicon/metal oxide interface-Part I

Hobbs, C.C., Fonseca, L.R.C., Knizhnik, A., Dhandapani, V., Samavedam, S.B., Taylor, W.J., Grant, J.M., Dip, L.G., Triyoso, D.H., Hegde, R.I., Gilmer, D.C., Garcia, R., Roan, D., Lovejoy, M.L., Rai, R

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 267 KB

english, 2004

34

Defect Passivation With Fluorine and Interface Engineering for Hf-Based High- k/Metal Gate Stack Device Reliability and Performance Enhancement

Tseng Hsing-Huang, Tobin, P.J., Kalpat, S., Schaeffer, J.K., Ramon, M.E., Fonseca, L.R.C., Jiang, Z.X., Hegde, R.I., Triyoso, D.H., Semavedam, S.

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.29 MB

english, 2007

35

Impact of Deposition and Annealing Temperature on Material and Electrical Characteristics of ALD HfO[sub 2]

Triyoso, D., Liu, R., Roan, D., Ramon, M., Edwards, N. V., Gregory, R., Werho, D., Kulik, J., Tam, G., Irwin, E., Wang, X.-D., La, L. B., Hobbs, C., Garcia, R., Baker, J., White, B. E., Tobin, P.

Журнал:

Journal of The Electrochemical Society

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 811 KB

english, 2004

36

[IEEE IEEE International Electron Devices Meeting 2003 - Washington, DC, USA (8-10 Dec. 2003)] IEEE International Electron Devices Meeting 2003 - Fermi level pinning with sub-monolayer MeOx and metal gates [MOSFETs]

Samavedam, S.B., La, L.B., Tobin, P.J., White, B., Hobbs, C., Fonseca, L.R.C., Demkov, A.A., Schaeffer, J., Luckowski, E., Martinez, A., Raymond, M., Triyoso, D., Roan, D., Dhandapani, V., Garcia, R.,

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 230 KB

english, 2003

37

[IEEE 2013 International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) - Pavia, Italy (2013.05.29-2013.05.31)] Proceedings of 2013 International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) - Impact of precursors choice on characteristics of PEALD SiN for spacer applications

Triyoso, D.H., Hempel, K., Ohsiek, S., Shu, J., Schaeffer, J.K., Lenski, M.

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 372 KB

english, 2013

38

[IEEE IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 2004. - San Francisco, CA, USA (Dec. 13-15, 2004)] IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 2004. - Improved short channel device characteristics with stress relieved pre-oxide (SRPO) and a novel tantalum carbon alloy metal gate/HfO/sub 2/ stack

Tseng, H.-H., Capasso, C.C., Schaeffer, J.K., Hebert, E.A., Tobin, P.J., Gilmer, D.C., Triyoso, D., Ramon, M.E., Kalpat, S., Luckowski, E., Taylor, W.J., Jeon, Y., Adetutu, O., Hegde, R.I., Noble, R.,

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 273 KB

english, 2004

39

[IEEE IEEE International Electron Devices Meeting 2003 - Washington, DC, USA (8-10 Dec. 2003)] IEEE International Electron Devices Meeting 2003 - ALD HfO/sub 2/ using heavy water (D/sub 2/O) for improved MOSFET stability

Tseng, H.-H., Ramon, M.E., Hebert, L., Tobin, P.J., Triyoso, D., Grant, J.M., Jiang, Z.X., Roan, D., Samavedam, S.B., Gilmer, D.C., Kalpat, S., Hobbs, C., Taylor, W.J., Adetutu, O., White, B.E.

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 230 KB

english, 2003

40

Film properties of ALD HfO[sub 2] and La[sub 2]O[sub 3] gate dielectrics grown on Si with various pre-deposition treatments

Triyoso, D. H., Hegde, R. I., Grant, J., Fejes, P., Liu, R., Roan, D., Ramon, M., Werho, D., Rai, R., La, L. B., Baker, J., Garza, C., Guenther, T., White, B. E., Tobin, P. J.

Журнал:

Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 750 KB

english, 2004

41

[IEEE 2006 International Electron Devices Meeting - San Francisco, CA, USA (2006.12.11-2006.12.13)] 2006 International Electron Devices Meeting - Single Metal Gate on High-k Gate Stacks for 45nm Low Power CMOS

Taylor, W. J., Capasso, C., Min, B., Winstead, B., Verret, E., Loiko, K., Gilmer, D., Hegde, R. I., Schaeffer, J., Luckowski, E., Martinez, A., Raymond, M., Happ, C., Triyoso, D. H., Kalpat, S., Hagga

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 288 KB

english, 2006

42

[IEEE 2014 IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) - Austin, TX, USA (2014.5.28-2014.5.30)] 2014 IEEE International Conference on IC Design & Technology - ALD ZrO2 processes for BEoL device applications

Weinreich, Wenke, Seidel, Konrad, Polakowski, Patrick, Riedel, Stefan, Wilde, Lutz, Triyoso, Dina H., Nolan, Mark G.

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 897 KB

english, 2014

43

[IEEE Tutorial (ICICDT) - Grenoble, France (2008.06.2-2008.06.4)] 2008 IEEE International Conference on Integrated Circuit Design and Technology and Tutorial - Metal gate effects on a 32 nm metal gate resistor

Thuy Dao,, Ik_Sung Lim,, Connell, Larry, Triyoso, Dina H., Park, Youngbog, Mackenzie, Charlie

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 315 KB

english, 2008

44

[IEEE 2014 IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) - Austin, TX, USA (2014.5.28-2014.5.30)] 2014 IEEE International Conference on IC Design & Technology - ALD Ta2O5 and Hf-doped Ta2O5 for BEOL compatible MIM

Triyoso, D. H., Weinreich, W., Seidell, K., Nolan, M. G., Polakowski, P., Utess, D., Ohsiek, S., Dittmar, K., Weisheit, M., Licbau, M., Fox, R.

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.14 MB

english, 2014

45

[IEEE IEEE InternationalElectron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. - Tempe, Arizon, USA (Dec. 5, 2005)] IEEE InternationalElectron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. - Microstructure modified HfO/sub 2/ using Zr addition with Ta/sub x/ C/sub y/ gate for improved device performance and reliability

Hegde, R.I., Triyoso, D.H., Tobin, P.J., Kalpat, S., Ramon, M.E., Tseng, H.-H., Schaeffer, J.K., Luckowski, E., Taylor, W.J., Capasso, C.C., Gilmer, D.C., Moosa, M., Haggag, A., Raymond, M., Roan, D.,

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 968 KB

english, 2005

46

[IEEE 2005 IEEE VLSI-TSA. International Symposium on VLSI Technology (VLSI-TSA-TECH) - Hsinchu, Taiwan (25-27 April 2005)] IEEE VLSI-TSA International Symposium on VLSI Technology, 2005. (VLSI-TSA-Tech). - Mechanism of Gm degradation and comparison of Vt instability and reliability of HfO/sub 2/, HfSiO/sub x/ and HfAlO/sub x/ gate dielectrics with 80 nm poly-Si gate CMOS

Tseng, H.-H., Grant, J.M., Hobbs, C., Tobin, P.J., Luo, Z., Ma, T.P., Hebert, L., Ramon, M., Kalpat, S., Wang, F., Triyoso, D., Gilmer, D.C., White, B.E., Abramowitz, P., Moosa, M.

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 388 KB

english, 2005

47

[IEEE Proceedings of 2010 International Symposium on VLSI Technology, System and Application - Hsin Chu, Taiwan (2010.04.26-2010.04.28)] Proceedings of 2010 International Symposium on VLSI Technology, System and Application - Thermo-mechanical stress characterization of tungsten-fill through-silicon-via

Dao, Thuy, Triyoso, Dina H., Mora, Rode, Kropewnicki, Tom, Griesbach, Brian, Booker, Doug, Petras, Mike, Adams, Vance

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 561 KB

english, 2010

48

[ECS 214th ECS Meeting - Honolulu, HI (October 12 - October 17, 2008)] ECS Transactions - Work Function and Effective Oxide Thickness Engineering via Alloying of Metal Gate Electrodes

Schaeffer, Jamie, Raymond, Mark, Gilmer, David, Gregory, Rich, Taylor, Bill, Jiang, Jack, Triyoso, Dina, Hegde, Rama, Samavedam, Sri

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 792 KB

english, 2008

49

[IEEE 2006 European Solid-State Device Research Conference - Montreux, Switzerland (2006.09.19-2006.09.21)] 2006 European Solid-State Device Research Conference - LASER Anneal to Enable Ultimate CMOS Scaling with PMOS Band Edge Metal Gate/High-K Stacks

Gilmer, D.C., Schaeffer, J.K., Taylor, W.J., Spencer, G., Triyoso, D.H., Raymond, M., Roan, D., Smith, J., Capasso, C., Hegde, R.I., Samavedam, S.B.

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 543 KB

english, 2006

50

Characteristics of Mixed Oxides and Nanolaminates of Atomic Layer Deposited HfO[sub 2]–TiO[sub 2] Gate Dielectrics

Triyoso, D. H., Hegde, R. I., Wang, X.-D., Stoker, M. W., Rai, R., Ramon, M. E., White, B. E., Tobin, P. J.

Журнал:

Journal of The Electrochemical Society

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 990 KB

english, 2006